Compagnies en carbure de silicium

Les prix des produits en carbure de silicium sont affectés par une variété de facteurs. En termes de matières premières, la production de carbure de silicium dépend du sable de quartz, du coke de pétrole et d'autres fluctuations des prix sont directement liées aux coûts, tels que le coke de pétrole en raison des variations du marché du pétrole brut, puis affectent le prix des produits.
Poussé par de nouveaux véhicules énergétiques: en 2018, Tesla a commencé à utiliser le MOSFET en carbure de silicium basé sur du matériau en carbure de silicium dans l'onduleur principal du modèle 3 pour remplacer l'IGBT traditionnel à base de silicium. Étant donné que le SIC présente les avantages d'une résistance à haute température, d'une résistance à haute pression, d'une conductivité thermique élevée et d'une petite taille, ce qui peut améliorer l'endurance des véhicules électriques et réduire les pertes, BYD, NIO, Xiaopeng et d'autres sociétés automobiles ont suivi le pas et adopté des copeaux en carbure de silicium dans le nouveau tramway. Cela fait que la demande du marché du carbure de silicium a augmenté rapidement, et de nombreuses entreprises ont commencé à s'impliquer dans Silicon Carbide Enterprise, y compris la production originale de "Mosan Diamonds" et d'autres sociétés de bijoux bon marché qui utilisent du carbure de silicium comme matière première, et se sont également transformées en concepts de concept de Chips de Sic.
Le développement de la technologie de communication 5G a augmenté la demande de matériaux en carbure de silicium qui peuvent fonctionner de manière stable dans des environnements à haute fréquence et à haute température. Parce que le SIC peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs de radiofréquence à micro-ondes de nitrure de gallium et d'autres parties de base de la communication 5G, ce qui a en outre favorisé le développement rapide des entreprises de carbure de silicium, de nombreuses entreprises dans les entreprises de carbure de silicium pour augmenter la recherche et le développement et les investissements de production dans le substrat SIC, la transmission et la fabrication de appareils épitaxiaux.